传感器的发展大致可分为三个阶段：

 阶段1：结构传感器

 结构参数用于感测和转换信号。例如：电阻应变传感器，其使用当金属材料弹性变形以转换电信号时的电阻变化。

 阶段2：固态传感器

 该传感器开发于20世纪70年代，由半导体，电介质，磁性材料等固体元件组成。它由一些材料特性组成。例如，热电偶传感器，霍尔传感器和光敏传感器分别采用热电效应，霍尔效应和光敏效应制成。

 20世纪70年代后期，随着集成技术，分子合成技术，微电子技术和计算机技术的发展，出现了集成传感器。有两种类型的集成传感器：传感器本身的集成以及传感器和后续电路的集成。例如：电荷耦合器件，集成温度传感器AD590集成霍尔传感器UGN3501等。这种传感器主要具有成本低，可靠性高，性能高，接口灵活等特点。集成传感器发展非常迅速，现在约占传感器市场的三分之二。它正朝着低价，多功能和系列化的方向发展。

  阶段3：智能传感器

  所谓的智能传感器开发于20世纪80年代，是指其检测，自我诊断，处理数据和适应外部信息的能力。它是微电脑技术与检测技术相结合的产物。 20世纪80年代，微处理器是智能测量的核心，传感器信号调理电路，计算机，存储器和接口被集成到芯片中，使传感器具有人工智能。智能测量技术在20世纪90年代得到了进一步的改进智能测量技术在传感器级实现，具有自诊断功能，记忆功能，多参数测量功能和网络通讯功能。